一种解决压降过大的隔离电路

摘要

本发明公开一种解决压降过大的隔离电路,涉及服务器供电技术领域，主要包括一三极管Q1、一MOS管Q2、主板上纽扣电池的P3V3_BAT和主板的P3V3，其中，纽扣电池的P3V3_BAT连接MOS管Q2的D极，主板的P3V3连接MOS管Q2的S极，MOS管Q2的G极与三极管Q1的集电极相连，MOS管Q2的S级连接主板上唤醒芯片IC供电端，同时三极管Q1的基极连接至纽扣电池的P3V3_BAT，三极管Q1的发射极接地。由于MOS管导通时产生的压降比二极管导通时产生的要小很多，本发明能确保唤醒芯片供电端电压控制在正常电压范围内，有效避免了芯片因电压过低无法正常工作的问题，提高了系统的稳定性和安全性。

主权项

一种解决压降过大的隔离电路，其特征在于, 主要包括一三极管Q1、一MOS管Q2、主板上纽扣电池的P3V3_BAT和主板的P3V3，其中，所述纽扣电池的P3V3_BAT连接MOS管Q2的D极，所述主板的P3V3连接MOS管Q2的S极，所述MOS管Q2的G极与三极管Q1的集电极相连，所述MOS管Q2的S级连接主板上唤醒芯片IC供电端，同时所述三极管Q1 的基极连接至纽扣电池的P3V3_BAT，所述三极管Q1的发射极接地；主板上唤醒芯片IC供电端还连接一个电容，且所述电容另一端接地。