发明名称 |
具有增强速度的写辅助存储器 |
摘要 |
一种写辅助存储器包括一种预充电辅助电路,该预充电辅助电路通过耦合来自经位线复用的存储器单元群中的其余未被访问的存储器单元的电源引线的电荷来在写辅助时段之后辅助经位线复用的存储器单元群中的被访问的存储器单元的电源引线上的电源电压的预充电。 |
申请公布号 |
CN105144295A |
申请公布日期 |
2015.12.09 |
申请号 |
CN201480013370.7 |
申请日期 |
2014.03.10 |
申请人 |
高通股份有限公司 |
发明人 |
P·金;M·H·阿布-拉玛;F·阿迈德 |
分类号 |
G11C11/419(2006.01)I;G11C7/12(2006.01)I;G11C5/14(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/419(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
杨丽 |
主权项 |
一种存储器,包括:经位线复用的多个存储器单元,其被配置成使得在所述多个存储器单元中的存储器单元通过在写辅助的写操作中正被写入而被访问时,所述经位线复用的多个存储器单元中的其余存储器单元为未被访问的存储器单元;以及预充电辅助电路,其被配置成通过耦合来自所述未被访问的存储器单元的电源引线的电荷来在写辅助时段完成之际辅助所述存储器单元中被访问的存储器单元的电源电压至默认值的预充电。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |