具有MOSFET和IGBT的电路布置

摘要

本发明涉及具有MOSFET和IGBT的电路布置。一种电路包括至少一个FET和至少一个IGBT，它们的负载路径并联连接。限压电路耦合到至少一个IGBT的栅极端子。

主权项

一种电路，包括：输入端子和输出端子；至少一个FET，具有栅极端子和漏极‑源极路径，所述漏极‑源极路径耦合在所述输入端子和所述输出端子之间；至少一个IGBT，具有栅极端子和集电极‑发射极路径，所述集电极‑发射极路径耦合在所述输入端子和所述输出端子之间，其中IGBT器件电路的集电极‑发射极路径配置成与负载电路串联地耦合；限压电路，耦合到所述至少一个IGBT的栅极端子并且被配置为当跨越所述集电极‑发射极路径的电压达到所述IGBT的阈值电压时将所述至少一个IGBT驱动到接通状态，其中所述IGBT的栅极端子只连接到所述限压电路以及连接到其他一个或多个IGBT器件的栅极端子，而不连接到除所述限压电路以外的任何其他驱动信号源；以及控制电路，具有耦合到所述至少一个FET的栅极端子的第一驱动输出，其中，所述控制电路被配置成接收表示在所述输入端子和所述输出端子之间流动的负载电流的电流测量信号并且当所述负载电流达到电流阈值时断开所述FET。