发明名称 一种有机场效应晶体管及其制备方法
摘要 本发明公开了一种有机场效应晶体管及其制备方法,其结构包括衬底,栅电极,栅极绝缘层,有机半导体层,源电极漏电极。本发明通过在所述有机半导体层内引入定量的双重体系固化胶,使有机半导体层发生交联。通过改变双重体系固化胶在有机半导体层中的比例,来控制有机半导体层的结晶度。本发明解决了可溶性有机半导体层结晶不良的问题,提高了器件的迁移率,同时提高了有机场效应晶体管的环境稳定性。
申请公布号 CN103579502B 申请公布日期 2015.12.09
申请号 CN201310549310.4 申请日期 2013.11.07
申请人 电子科技大学 发明人 于军胜;施薇;李杰;祁一歌
分类号 H01L51/30(2006.01)I;H01L51/10(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I 主分类号 H01L51/30(2006.01)I
代理机构 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 代理人 徐丰;杨保刚
主权项 一种有机场效应晶体管,其结构包括衬底、栅电极、栅极绝缘层、有机半导体层,源电极和漏电极,其特征在于,所述有机半导体层加入有重量百分比0.1%~1%的双重体系固化胶,所述双重体系固化胶是通过两个独立的固化阶段完成的,其中一个阶段是通过紫外光固化反应,另一个阶段是暗反应。
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号