发明名称 |
一种高品质因数电感制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种高品质因数电感制造方法,包括以下步骤:提供一硅基板,在所述硅基板正反两面沉积掩膜层后在该硅基板反面形成腐蚀窗口;沿所述腐蚀窗口形成位于该硅基板内的深坑结构;在所述硅基板正面的掩膜层上形成第一层金属图形;在步骤C之后获得的结构上旋涂介质层并图形化,形成暴露部分第一金属图层的通孔;在步骤D之后获得的结构上形成第二层金属图形;使得部分第二层金属图形通过所述通孔与第一金属图层接触;接着旋涂有机保护层并固化;随后采用湿法腐蚀工艺去除电感底部剩余的硅;采用深反应离子刻蚀去掉所述有机保护层,本发明采用两步湿法腐蚀工艺掏空平面线圈电感以下的硅衬底,从而抑制硅基板损耗,成倍提高电感Q值。 |
申请公布号 |
CN105140218A |
申请公布日期 |
2015.12.09 |
申请号 |
CN201510552084.4 |
申请日期 |
2015.09.01 |
申请人 |
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
发明人 |
郑涛;罗乐;徐高卫;韩梅 |
分类号 |
H01L23/64(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01F41/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/64(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
余明伟 |
主权项 |
一种高品质因数电感制造方法,其特征在于:该制造方法至少包括以下步骤:A.提供一硅基板,在所述硅基板正反两面沉积掩膜层后在该硅基板反面形成腐蚀窗口;B.沿所述腐蚀窗口形成位于该硅基板内的深坑结构;使得该深坑结构底部剩余一层薄硅基板;C.在所述硅基板正面的掩膜层上形成第一层金属图形;D.在步骤C之后获得的结构上旋涂介质层并图形化,形成暴露部分第一金属图层的通孔;E.在步骤D之后获得的结构上形成第二层金属图形;使得部分第二层金属图形通过所述通孔与第一金属图层接触;F.接着旋涂有机保护层并固化;G.去除所述深坑结构底部剩余的一层薄硅基板;H.采用深反应离子刻蚀去掉所述有机保护层。 |
地址 |
200050 上海市长宁区长宁路865号 |