| 发明名称 | 三结太阳电池及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种三结太阳电池，其中两个子电池采用GaNAsBi材料制作，与GaAs衬底晶格匹配，本发明还涉及该三结太阳电池的制备方法，本发明的三结太阳电池及其制备方法简化了制备工艺，提高了电池效率，降低了生产成本。 | ||
| 申请公布号 | CN103346189B | 申请公布日期 | 2015.12.09 |
| 申请号 | CN201310172395.9 | 申请日期 | 2013.05.10 |
| 申请人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明人 | 曾徐路;董建荣;李奎龙;孙玉润;于淑珍;赵勇明;赵春雨;杨辉 |
| 分类号 | H01L31/0687(2012.01)I;H01L31/0693(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0687(2012.01)I |
| 代理机构 | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人 | 宋鹰武 |
| 主权项 | 一种三结太阳电池，其特征在于：包括依次生长在P型GaAs衬底上的GaNAsBi底电池、第一隧道结、GaNAsBi中间电池、第二隧道结、AlGaInP顶电池以及N型GaAs欧姆接触层，其中，所述GaAs衬底上设有P电极，所述GaAs欧姆接触层上设有N电极；所述GaNAsBi底电池的带隙值为0.94±0.03eV；所述GaNAsBi中间电池的带隙值为1.39±0.03eV；所述AlGaInP顶电池的带隙值为1.93±0.03eV。 | ||
| 地址 | 215123 江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号 | ||