N型LDMOS器件及工艺方法

摘要

本发明公开了一种N型LDMOS器件，在低阻衬底上具有N型埋层，埋层之上为N型外延，N型外延中具有相互抵靠的P阱和漂移区：所述漂移区中还具有N阱及STI结构；所述P阱中具有LDMOS器件的源区，所述漂移区的N阱中具有LDMOS器件的漏区；所述P阱中还具有重掺杂P型区，将P阱引出；N型外延表面具有LDMOS器件的栅氧化层及多晶硅栅极，多晶硅栅极两侧为侧墙；所述漂移区中的STI结构底部具有重掺杂的多晶硅。通过在漂移区STI底部增加P型掺杂的多晶硅层，在漂移区上方形成P型的辅助耗尽区，降低表面电场强度，使器件具有较低的导通电阻的同时具有较高的击穿电压。本发明还公开了所述N型LDMOS器件的工艺方法。

主权项

一种N型LDMOS器件，在低阻衬底上具有N型埋层，埋层之上为N型外延，N型外延中具有相互抵靠的P阱和漂移区：所述漂移区中还具有N阱及STI结构；所述P阱中具有LDMOS器件的源区，所述漂移区的N阱中具有LDMOS器件的漏区；所述P阱中还具有重掺杂P型区，将P阱引出；N型外延表面具有LDMOS器件的栅氧化层及多晶硅栅极，多晶硅栅极两侧为侧墙；其特征在于：所述漂移区中的STI结构底部具有重掺杂的多晶硅。