发明名称 |
涂布装置及其涂布方法 |
摘要 |
一种涂布装置,包括:横臂,所述横臂用于所述涂布装置的支撑;光刻胶喷吐装置,所述光刻胶喷吐装置具有活动设置在所述横臂上的活动支架,以及设置在所述活动支架之邻近所述待涂布半导体晶圆一侧并用于所述光刻胶喷吐的第一喷嘴;以及气体喷吹装置,所述气体喷吹装置进一步包括设置在所述待涂布半导体晶圆一侧的第二喷嘴,并活动设置在所述横臂上。本发明所述涂布装置具有气体喷吹装置,并可在光刻胶涂布过程中产生的离心力和气流推力的作用下,使得所述光刻胶沿着所述半导体晶圆的表面稳定、快速的推动液面向所述半导体晶圆的边缘流动,从而实现更易涂布的目的,不仅拓展了光刻胶的应用生命,而且降低生产成本。 |
申请公布号 |
CN103116248B |
申请公布日期 |
2015.12.09 |
申请号 |
CN201310062544.6 |
申请日期 |
2013.02.27 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
何伟明;朱治国;朱骏;张旭升 |
分类号 |
G03F7/16(2006.01)I |
主分类号 |
G03F7/16(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
陆花 |
主权项 |
一种涂布装置,其特征在于,所述涂布装置包括:横臂,所述横臂用于所述涂布装置的支撑;光刻胶喷吐装置,所述光刻胶喷吐装置具有活动设置在所述横臂上的活动支架,以及设置在所述活动支架之邻近待涂布半导体晶圆一侧并用于所述光刻胶喷吐的第一喷嘴;以及,气体喷吹装置,所述气体喷吹装置进一步包括设置在所述待涂布半导体晶圆一侧的第二喷嘴,并活动设置在所述横臂上;所述气体喷吹装置的第二喷嘴与所述光刻胶喷吐装置之间的距离根据所述光刻胶的不同黏度、半导体晶圆的表面覆盖程度,以及膜厚均匀度进行设置。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 |