发明名称 |
检测通孔蚀刻不足和通孔缺失缺陷的方法 |
摘要 |
一种检测通孔蚀刻不足和通孔缺失缺陷的方法,包括:实现N阱中布置PMOS器件的结构;在晶圆上参照正常工艺制程生长金属硅化物,形成阻挡层,并沉积金属间的第一介电层和第二介电层;在第二介电层上依次形成硬掩膜、硅氧化物和抗反射层,在抗反射层上布置硬掩膜蚀刻光罩,其中采用通孔蚀刻的光罩作为硬掩膜蚀刻光罩;利用硬掩膜蚀刻光罩对抗反射层、硅氧化物、硬掩膜进行完全蚀刻,并且部分蚀刻第二介电层;去除硬掩膜蚀刻光罩,并对抗反射层、硅氧化物、硬掩膜和第二介电层中进行填充;利用通孔蚀刻光罩执行蚀刻,直到部分地蚀刻第一介电层,去除通孔蚀刻光罩;去除抗反射层以及所填充的与抗反射层相同的材料;执行蚀刻,直到蚀刻透阻挡层。 |
申请公布号 |
CN103367192B |
申请公布日期 |
2015.12.09 |
申请号 |
CN201310286389.6 |
申请日期 |
2013.07.09 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
范荣伟;龙吟;倪棋梁;陈宏璘 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
陆花 |
主权项 |
一种半导体制备方法,其特征在于包括:在硅衬底上实现N阱中布置PMOS器件的结构;在晶圆上参照正常工艺制程生长金属硅化物,形成阻挡层,并沉积金属间的第一介电层和第二介电层;在硬掩膜蚀刻工艺中,在第二介电层上依次形成硬掩膜、硅氧化物和抗反射层,在抗反射层上布置硬掩膜蚀刻光罩,其中采用通孔蚀刻的光罩作为硬掩膜蚀刻光罩;利用硬掩膜蚀刻光罩对抗反射层、硅氧化物、硬掩膜进行完全蚀刻,并且部分蚀刻第二介电层;去除硬掩膜蚀刻光罩,并对抗反射层、硅氧化物、硬掩膜和第二介电层中填充与抗反射层相同的材料;利用通孔蚀刻光罩执行蚀刻,直到部分地蚀刻第一介电层,其中通孔蚀刻光罩的关键尺寸小于硬掩膜蚀刻光罩的关键尺寸,随后去除通孔蚀刻光罩;去除抗反射层以及所填充的与抗反射层相同的材料;执行蚀刻,直到蚀刻透阻挡层;进行填铜与铜的平坦化。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区高科技园区高斯路568号 |