一种改善离子注入准直性的方法

摘要

本发明公开了一种改善离子注入准直性的方法，包括以下步骤：首先在硅衬底上旋涂一层光刻胶，并曝光显影定义出第一阱离子注入区域；接着在光刻胶层上沉积保护层，在第一阱离子注入区域进行离子注入；其中，所述离子注入工艺包括第一道离子注入、第二道离子注入以及第三道离子注入；然后去除所述保护层以及光刻胶层；最后重复以上步骤，定义第二阱离子注入区域，并在第二阱离子注入区域完成离子注入。本发明通过在光刻胶的表面增加一层保护层，使光刻胶层能够抵抗高能量离子的轰击，降低了离子注入对光刻胶的损耗，使得离子注入更加精确，解决了因光刻胶层的尺寸变化导致的阈值电压漂移的问题，提高了器件的可靠性。

主权项

一种改善离子注入准直性的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01、在硅衬底上旋涂一层光刻胶，并曝光显影定义出第一阱离子注入区域；步骤S02、在光刻胶层上沉积保护层，在第一阱离子注入区域进行离子注入；其中，所述离子注入工艺包括第一道离子注入、第二道离子注入以及第三道离子注入；步骤S03、去除所述保护层以及光刻胶层；步骤S04、重复步骤S01～S03，定义第二阱离子注入区域，并在第二阱离子注入区域完成离子注入。