发明名称 | 一种采用复合磁路构造的电抗器 | ||
摘要 | 本实用新型公开一种采用复合磁路构造的电抗器,包括内磁芯,及位于所述内磁芯表面的绕组,还包括一用于收容所述内磁芯及绕组的外磁芯,外磁芯采用导热绝缘材料制备。本实用新型通过内磁芯及绕组收容于薄壁筒型的外磁芯内部,使绕组处于内外磁芯的包裹之中,有效地降低了漏磁,同时增加单位空间内的电感值,实现电抗器的小型化;外磁芯采用导热系数高的绝缘材料同时作为散热器来降低绕组内部温度;内磁芯与外磁芯之间的空隙采用合金金属粉末填充,使得内外磁芯之间气隙均匀化,达到降低漏磁与涡流损耗的目的,同时将绕组产生的热量传递给外磁芯,从而起到辅助散热的效果;电抗器整体结构设计适合工业化的量化生产,提高生产效率并降低了成本。 | ||
申请公布号 | CN204857391U | 申请公布日期 | 2015.12.09 |
申请号 | CN201520553481.9 | 申请日期 | 2015.07.28 |
申请人 | 深圳市高斯博电子科技有限公司 | 发明人 | 朱勇;张冲 |
分类号 | H01F27/24(2006.01)I | 主分类号 | H01F27/24(2006.01)I |
代理机构 | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人 | 彭家恩;彭愿洁 |
主权项 | 一种采用复合磁路构造的电抗器,包括内磁芯,及位于所述内磁芯表面的绕组,其特征在于,还包括一收容所述内磁芯及绕组的外磁芯,所述外磁芯采用导热绝缘材料制备。 | ||
地址 | 518000 广东省深圳市南山区商业文化中心区青春家园B-25D |