| 发明名称 | 集成半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及集成半导体器件及其制造方法。所述集成半导体器件包括形成在半导体衬底的有源区处的场效应晶体管和形成在所述半导体衬底的隔离区上的电阻器。其中，所述场效应晶体管包括由从下至上依次布置的电介质层、第一导电层和第二导电层的各自部分形成的栅极叠层结构，并且所述电阻器包括由第一导电层的环形部分形成的电阻器体以及由第二导电层在所述电阻器体的端部上的部分形成的电阻器端子。本发明的集成半导体器件及其制造方法能够在半导体制造工艺中相比于现有技术增大电阻器的电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN103165601B | 申请公布日期 | 2015.12.09 |
| 申请号 | CN201110410241.X | 申请日期 | 2011.12.12 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 洪中山 |
| 分类号 | H01L27/06(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 罗银燕 |
| 主权项 | 一种集成半导体器件，所述集成半导体器件包括形成在半导体衬底的有源区处的场效应晶体管和形成在所述半导体衬底的隔离区上的电阻器，其特征在于，所述场效应晶体管包括由从下至上依次布置的电介质层、第一导电层和第二导电层的各自部分形成的栅极叠层结构；以及所述电阻器包括由第一导电层的环形部分形成的电阻器体以及由第二导电层在所述电阻器体的端部上的部分形成的电阻器端子。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号 | ||