| 发明名称 | 一种提高氮化硅层和氧化层刻蚀选择比的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种提高氮化硅层和氧化层刻蚀选择比的方法，应用于具有氮化硅层和氧化层的半导体结构的刻蚀工艺，且氮化硅层覆盖于氧化层的上表面，方法包括：采用包含有添加剂的磷酸化学液对所述氮化硅层进行刻蚀工艺；其中，添加剂的材质为氮化硅和/或类氮化硅和/或间接转化为氮化硅的物质和/或氧化硅和/或类氧化硅和/或间接可以转化为氧化硅的物质；该方法从化学源头解决工艺需求，省去进行挡片的工艺步骤，在不减小刻蚀氮化硅速率的同时，有效控制化学液的反应，节约产品制程的时间，进而降低生产成本。 | ||
| 申请公布号 | CN103208421B | 申请公布日期 | 2015.12.09 |
| 申请号 | CN201310082090.9 | 申请日期 | 2013.03.14 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 李芳;刘文燕;黄耀东 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人 | 竺路玲 |
| 主权项 | 一种提高氮化硅层和氧化层刻蚀选择比的方法，应用于具有氮化硅层和氧化层的半导体结构的刻蚀工艺，所述氮化硅层覆盖于所述氧化层的上表面，其特征在于，包括：采用包含有添加剂的磷酸化学液对所述氮化硅层进行刻蚀工艺；其中，所述添加剂的材质为氮化硅；当所述添加剂为氮化硅时，所述氮化硅的剂量为Y＝(0.014*X‑1.4)*a；其中，X为所述刻蚀选择比的值，且X为150：1～250:1中的任意值，a为所述添加剂中氮化硅的密度值；当所述添加剂为氮化硅，且所述刻蚀选择比大于250:1时，该氮化硅的剂量大于2.1a且小于3a。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 | ||