一种功率二极管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种功率二极管，包括从下到上依次设置的阴极N⁺区、耐压层和阳极P⁺区，阴极N⁺区包括横向设置的两个N⁺区，N⁺区中间设置有N区。还公开了该功率二极管的制备方法，将P+区的Si材料用SiGe材料代替，且阴极设置为N+/N/N+结构，大大降低了反向恢复峰值电流，有效缩短了二极管的反向恢复时间，能够同时获得更低的通态压降和更快的开关速度。且利用穿通设计减小漂移区厚度，不仅有利于降低通态压降，而且有利于降低存储电荷和由此引起的反向恢复功耗；该功率二极管的制备方法采用外延和多次离子注入相结合来保证形成较好的N⁺区和N区，极大的节约了能源并提升电能利用率。

主权项

一种功率二极管，其特征在于，包括从下到上依次设置的阴极N⁺区(1)、耐压层(2)和阳极P⁺区(3)，所述阴极N⁺区(1)包括横向设置的两个N⁺区(4)，所述N⁺区(4)中间设置有N区(5)。