制造电容器的叉型下电极的方法

摘要

一种制造电容器的叉型下电极的方法,该电容器位于一基底,该方法包括在基底上依次形成第一介电层、氮化物层、第二介电层;对上述各层构图与蚀刻,直到基底露出,形成接触窗开口;在开口中形成导电插塞;对导电插塞旁的第二介电层进行构图与蚀刻以形成两个区域,其中该区域由氮化物层、导电插塞与第二介电层围绕;形成共形的导电层;移除导电层在第二介电层上与导电插塞的部分;以及移除第二介电层剩余的部分。

主权项

1.一种制造电容器的叉型下电极的方法，该电容器位于一基底，该方法包括：在该基底之上形成一第一介电层；在该第一介电层上形成一氮化物层；在该氮化物层上形成一第二介电层；对该第一介电层，该氮化物层，该第二介电层进行构图与蚀刻的步骤，直到该基底露出，从而形成一个接触窗开口；在该接触窗开口中形成一导电插塞；对该导电插塞旁的第二介电层进行构图与蚀刻的步骤，以形成两个区域，其中该区域是由该氮化物层、该导电插塞、与该第二介电层所围绕；在该第二介电层、该氮化物层、该导电插塞上形成与该区域的形状共形的一导电层；移除该导电层在该第二介电层上与该导电插塞的部分；以及移除该第二介电层剩余的部分。