厚金属焊盘的处理

摘要

本发明涉及厚金属焊盘的处理。在本发明的实施例中，形成半导体器件的方法包括提供包含第一芯片区和第二芯片区的半导体衬底。在所述第一芯片区之上形成第一接触焊盘并在所述第二芯片区之上形成第二接触焊盘。所述第一和第二接触焊盘至少与所述半导体衬底一样厚。该方法进一步包括在所述第一和第二接触焊盘之间切割穿过该半导体衬底。所述切割从包括所述第一接触焊盘和第二接触焊盘的半导体衬底一侧执行。在所述第一和第二接触焊盘以及通过切割暴露的半导体衬底的侧壁之上形成导电衬垫。

主权项

一种形成半导体器件的方法，该方法包括：提供包括第一芯片区和第二芯片区的半导体衬底；在所述第一芯片区之上形成第一接触焊盘并在所述第二芯片区之上形成第二接触焊盘，其中所述第一和第二接触焊盘至少与所述半导体衬底一样厚；在所述第一和第二接触焊盘之间切割穿过该半导体衬底，其中所述切割从包括所述第一接触焊盘和第二接触焊盘的半导体衬底一侧被执行；以及在所述第一和第二接触焊盘以及通过所述切割暴露的半导体衬底侧壁之上形成导电衬垫。