太阳能电池及其制造方法

摘要

本发明提供一种太阳能电池，在背面接合型太阳能电池中，能够减少电流密度并抑制随时间经过而产生的劣化。本发明的太阳能电池(1A)，包括：具有接收光的受光面(11)和设置在受光面(11)的相反侧的背面(12)的半导体基板(10n)；具有第一导电型的第一半导体层(20n)；和具有第二导电型的第二半导体层(30p)，第一半导体层(20n)和第二半导体层(30p)在背面(12)上形成，在背面(12)形成有槽(13)，在没有形成槽(13)的背面(12)形成有第一半导体层(20n)，在第一半导体层(20n)和第二半导体层(30p)交替排列的排列方向x上的槽(13)的侧面(17)和槽(13)的底面(19)形成有第二半导体层(30p)。

主权项

一种太阳能电池，包括：具有受光面和背面且包含结晶类半导体材料的半导体基板；具有第一导电型的第一非晶态半导体层；和具有第二导电型的第二非晶态半导体层，所述第一非晶态半导体层和所述第二非晶态半导体层在所述背面上形成，所述太阳能电池的特征在于：在所述背面形成有槽，在没有形成所述槽的所述背面形成有所述第一非晶态半导体层，在所述第一非晶态半导体层和所述第二非晶态半导体层交替排列的排列方向上的所述槽的侧面和所述槽的底面，以所述第二非晶态半导体层与所述槽的侧面和所述槽的底面接触，并且在没有形成所述槽的所述背面与所述槽的边界上所述第二非晶态半导体层与所述第一非晶态半导体层接触，且所述第二非晶态半导体层覆盖所述第一非晶态半导体层的端部的方式，形成有所述第二非晶态半导体层，所述第二非晶态半导体层与所述侧面的结以及所述第二非晶态半导体层与所述底面的结是异质结，所述侧面倾斜地与所述底面连接，所述半导体基板是第一导电型或第二导电型，在所述半导体基板是第一导电型的情况下，在所述背面上形成的所述第二非晶态半导体层在所述排列方向上的宽度比在所述背面上形成的所述第一非晶态半导体层在所述排列方向上的宽度宽，在所述半导体基板是第二导电型的情况下，在所述背面上形成的所述第二非晶态半导体层在所述排列方向上的宽度比在所述背面上形成的所述第一非晶态半导体层在所述排列方向上的宽度窄。