| 发明名称 | 背照式图像传感器制作方法 | ||
| 摘要 | 一种背照式图像传感器制作方法，其改进在于：先在外延硅片上制作钝化层，再制作光吸收层，最后制作表面结构。本发明的有益技术效果是：可解决现有技术中只能使用设备价格高昂、操作复杂、加工效率低下的激光（脉冲）退火技术来对钝化层进行激活的缺陷，提高器件的加工效率，降低生产成本，节省能源。 | ||
| 申请公布号 | CN103337505B | 申请公布日期 | 2015.12.09 |
| 申请号 | CN201310220610.8 | 申请日期 | 2013.06.05 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 | 发明人 | 韩恒利;邓刚 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人 | 侯懋琪;侯春乐 |
| 主权项 | 一种背照式图像传感器制作方法，其特征在于：先在外延硅片上制作钝化层（201），再制作光吸收层，最后制作表面结构；采用硼离子注入工艺制作钝化层（201）；在制作钝化层（201）时不对钝化层（201）进行单独的激活处理，利用制作表面结构时的高温工艺实现钝化层（201）的自动激活。 | ||
| 地址 | 400060 重庆市南岸区花园路14号电子44所 | ||