发明名称 |
基于m面蓝宝石衬底上半极性(11-22)黄光LED材料及其制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种基于m面蓝宝石衬底上半极性(11-22)黄光LED材料及其制作方法。其生长步骤是:1)将m面蓝宝石衬底置于MOCVD反应室中进行热处理;2)在热处理后的衬底上生长厚度为10-200nm的低温成核层;3)在成核层之上生长厚度为0.1-100μm,Si掺杂浓度为4×10<sup>17</sup>cm<sup>-3</sup>~4×10<sup>19</sup>cm<sup>-3</sup>,C掺杂浓度为2×10<sup>17</sup>cm<sup>-3</sup>~2×10<sup>19</sup>cm<sup>-3</sup>的高温有源层;4)在有源层之上生长厚度为0.01-10μm,Mg掺杂浓度为1×10<sup>17</sup>cm<sup>-3</sup>~3×10<sup>19</sup>cm<sup>-3</sup>的高温p型GaN层。本发明工艺简单,成本低,发光效率高,可用于制作半极性(11-22)GaN黄光发光二极管。 |
申请公布号 |
CN105140355A |
申请公布日期 |
2015.12.09 |
申请号 |
CN201510509289.4 |
申请日期 |
2015.08.18 |
申请人 |
西安电子科技大学 |
发明人 |
许晟瑞;郝跃;任泽阳;张进成;李培咸;姜腾;蒋仁渊;孟锡俊 |
分类号 |
H01L33/00(2010.01)I;H01L33/30(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
代理机构 |
陕西电子工业专利中心 61205 |
代理人 |
王品华;朱红星 |
主权项 |
一种基于m面蓝宝石衬底上半极性(11‑22)黄光LED材料,自上而下分别为p型GaN层,有源层,成核层和m面蓝宝石衬底,其特征在于有源区使用C掺杂和Si掺杂的n型半极性(11‑22)GaN层,以在GaN中引入C的深能级,为发黄光的电子、空穴提供复合平台。 |
地址 |
710071 陕西省西安市太白南路2号 |