| 发明名称 | 一种基于CMOS太赫兹传感器的高响应工作方法 | ||
| 摘要 | 一种基于CMOS太赫兹信号传感器的工作方法，MOSFET在工作时，利用外接电路给器件的源漏两端提供一稳定的驱动电流，改变沟道的直流电导。MOSFET器件栅极(201)上加直流偏置电压V<sub>gs</sub>，太赫兹信号从源端(202)输入，漏端(203)接一个稳定电流源(204)，输出电压。在这种工作模式下，由于沟道电流此时的沟道直流电导(G<sub>DS</sub>)发生改变：可以使得CMOS太赫兹信号传感器的电压响应(RV)更大，噪声等效功率(NEP)更低。 | ||
| 申请公布号 | CN105140248A | 申请公布日期 | 2015.12.09 |
| 申请号 | CN201510440031.3 | 申请日期 | 2015.07.23 |
| 申请人 | 南京大学 | 发明人 | 纪小丽;廖轶明;吴福伟;闫锋 |
| 分类号 | H01L27/144(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/144(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人 | 陈建和 |
| 主权项 | 一种基于CMOS太赫兹信号传感器的工作方法，其特征在于MOSFET在工作时，利用外接电路给器件的源漏两端提供一稳定的驱动电流，改变沟道的直流电导。 | ||
| 地址 | 210093 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号 | ||