| 摘要 |
<p>가변저항 메모리 소자 및 그 제조방법을 제공한다. 기판 상에 선택소자들을 형성하고, 상기 선택소자들 상에 도전층을 형성하고, 상기 도전층을 제 1 방향의 패터닝하여, 상기 제 1 방향과 교차하는 방향으로 이격되고 상기 제 1 방향으로 인접한 한 쌍의 선택소자들을 연결하는 도전패턴을 형성하고, 상기 도전패턴 상에 가변저항 물질층을 형성하고, 그리고 상기 가변저항 물질층 및 상기 도전패턴을 제 2 방향의 패터닝하여, 상기 제 1 방향으로 이격되는 가변저항체들을 형성하고, 상기 제 1 방향으로 이격된 전극들을 형성하는 것을 포함한다.</p> |
