AlInGaN-based superluminescent diode

摘要

Przedmiotem wynalazku jest dioda superluminescencyjna na bazie stopu AlInGaN, zawierająca podłoże półprzewodnikowe (1), dolną warstwę okładkową (2) o przewodnictwie elektrycznym typu n, dolną warstwę światłowodową (3) o przewodnictwie elektrycznym typu n, warstwę emitującą światło (4), warstwę blokującą elektrony (5) o przewodnictwie elektrycznym typu p, górną warstwę światłowodu (6), górną warstwę okładkową (7) o przewodnictwie elektrycznym typu p, warstwę podkontaktową (8) domieszkowaną akceptorami powyżej koncentracji 1020 cm-3 oraz warstwę antyrefleksyjną naniesioną na okno wyjściowe falowodu, przy czym warstwa antyrefleksyjna zawiera nanocząstki dielektryka o największym wymiarze geometrycznym mniejszym niż długość fali emitowanego przez diodę światła.