摘要 |
<p>본 발명은 OPC model calibration에 필요로 하는 계산 시간을 삭감하면서, 정밀도를 향상시킨다. 반도체의 회로 패턴의 마스크 엣지 데이터 및 회로 패턴을 촬상한 화상 데이터를 기억하는 기억부와, 화상 데이터를 입력으로 하여 회로 패턴의 SEM(Scanning Electron Microscope) 윤곽선을 추출하고, 마스크 엣지 데이터와 추출한 SEM 윤곽선의 데이터(SEM 윤곽선 데이터)에 기초하여, 노광 시뮬레이션부에 예측 SEM 윤곽선의 데이터(예측 SEM 윤곽선 데이터)를 생성시키는 SEM 윤곽선 추출부와, 마스크 엣지 데이터와, SEM 윤곽선 데이터와, 예측 윤곽선 데이터를 입력으로 하여, SEM 윤곽선 데이터 및 예측 SEM 윤곽선 데이터를, 1차원 형상의 윤곽선과 2차원 형상의 윤곽선으로 분류하는 형상 분류부와, SEM 윤곽선 데이터와 예측 SEM 윤곽선 데이터를 입력으로 하고, 1차원 형상 및 2차원 형상의 종류에 따라서, SEM 윤곽선 데이터의 샘플링을 행하는 SEM 윤곽선 샘플링부를 구비한다.</p> |