| 摘要 |
シリコン基板をエッチングして異なる幅寸法を有するシリコントレンチを形成するシリコンエッチング法が開示される。この方法は、シリコン基板を提供するステップ（Ｓ１）と、マスク層をシリコン基板上に堆積するステップ（Ｓ２）と、マスク層を腐食させて異なる幅寸法を有するウィンドウを形成し、ステップＳ４の後に全てのシリコントレンチが同じ深さを有するように非最小幅寸法を有するウィンドウの少なくとも底部にて特定の厚さを有するマスク層を確保するステップ（Ｓ３）と、ウィンドウの底部のマスク層及びシリコン基板を腐食させてシリコントレンチを形成するステップ（Ｓ４）と、を含む。非最小幅寸法を有するウィンドウの底部に特定の厚さを有するマスク層が確保され、比較的大きなウィンドウが保護されて、比較的小さなウィンドウが最初にエッチングされるので、最終的に得られるシリコントレンチは同じ深さを有するようになる。【選択図】図２ |
