发明名称 |
Halbleiterwafer und Verfahren zur Bearbeitung eines Halbleiterwafers |
摘要 |
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Halbleiterwafer umfassen: einen Halbleiterkörper, der eine integrierte Schaltungsstruktur umfasst; und zumindest eine tetraedrische amorphe Kohlenstoffschicht, die zumindest über oder in der integrierten Schaltungsstruktur ausgebildet ist, wobei die zumindest eine tetraedrische amorphe Kohlenstoffschicht einen Stoffmengenanteil von sp3-hybridisiertem Kohlenstoff von mehr als etwa 0,4 und einen Stoffmengenanteil von Wasserstoff von weniger als etwa 0,1 umfassen kann. |
申请公布号 |
DE102015108608(A1) |
申请公布日期 |
2015.12.03 |
申请号 |
DE201510108608 |
申请日期 |
2015.06.01 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
JOSHI, RAVI KESHAV;KAHN, MARKUS;KÜNLE, MATTHIAS;SCHMIDT, GERHARD;SPORN, MARTIN;STEINBRENNER, JÜRGEN |
分类号 |
H01L29/16;C23C14/06;C23C14/35;C30B28/12;C30B29/04 |
主分类号 |
H01L29/16 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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