发明名称 Halbleiterwafer und Verfahren zur Bearbeitung eines Halbleiterwafers
摘要 Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Halbleiterwafer umfassen: einen Halbleiterkörper, der eine integrierte Schaltungsstruktur umfasst; und zumindest eine tetraedrische amorphe Kohlenstoffschicht, die zumindest über oder in der integrierten Schaltungsstruktur ausgebildet ist, wobei die zumindest eine tetraedrische amorphe Kohlenstoffschicht einen Stoffmengenanteil von sp3-hybridisiertem Kohlenstoff von mehr als etwa 0,4 und einen Stoffmengenanteil von Wasserstoff von weniger als etwa 0,1 umfassen kann.
申请公布号 DE102015108608(A1) 申请公布日期 2015.12.03
申请号 DE201510108608 申请日期 2015.06.01
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 JOSHI, RAVI KESHAV;KAHN, MARKUS;KÜNLE, MATTHIAS;SCHMIDT, GERHARD;SPORN, MARTIN;STEINBRENNER, JÜRGEN
分类号 H01L29/16;C23C14/06;C23C14/35;C30B28/12;C30B29/04 主分类号 H01L29/16
代理机构 代理人
主权项
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