特定の結晶学的特徴を有するＩＩＩ−Ｖ族基板材料および形成方法

摘要

半導体材料を含むベース基板を提供すること、および１３−１５族材料を有する、ベース基板を覆う第１の半導体層を、ハイドライド気相成長（ＨＶＰＥ）を通じて形成することを含む、半導体基板を形成する方法であって、第１の半導体層が、Ｎ面配向を有する上面を有する方法。