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<p>본 발명은, BOX층상에 SOI층을 갖는 SOI 웨이퍼의 SOI층상에 에피택셜층을 성장시켜 SOI층을 두껍게 하는 SOI 웨이퍼의 제조방법에 있어서, 에피택셜층을 성장시키는 SOI 웨이퍼의 800~1300 nm의 적외선 파장 영역에서의 적외선 반사율이 20%이상 40%이하의 것을 사용하여 에피택셜 성장시키는 SOI 웨이퍼의 제조방법이다. 이것에 의해, 에피택셜층을 성장시켜 SOI층을 두껍게 한 SOI 웨이퍼로서, 생산성이 좋고 저비용으로, 슬립 전위 등이 적은 고품질인 SOI 웨이퍼, 및 그 제조방법이 제공된다.</p> |
