传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置

摘要

本实用新型公开了一种传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置，其包括有反应室，反应室的轴线位置设置有片架，其连接至设置在反应室外部的片架旋转机构；所述反应室外侧设置有电磁线圈；所述反应室中，片架之上设置有多个在水平方向上延伸的支撑杆件，每一个支撑杆件的端部位置均设置有导向轮，其与支撑杆件通过转轴进行连接，所述导向轮的轴线平行于反应室的轴线，导向轮相交于反应室的内壁之上；采用上述技术方案的传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置，其可在片架于反应室内部进行刻蚀加工的过程中，通过多个支撑杆件对片架进行定位处理，使得其始终处于反应室的轴线位置，从而使得片架之中的多个单晶硅的刻蚀加工的精度得以改善。

主权项

一种传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置，其包括有反应室，反应室的上端部设置有送气管道，其连接至设置在反应室外部的气源室，反应室的下端部设置有抽气管道，其连接至设置在反应室外部的真空泵；所述反应室的轴线位置设置有片架，其连接至设置在反应室外部的片架旋转机构；所述反应室外侧设置有电磁线圈；其特征在于，所述反应室中，片架之上设置有多个在水平方向上延伸的支撑杆件，每一个支撑杆件的端部位置均设置有导向轮，其与支撑杆件通过转轴进行连接，所述导向轮的轴线平行于反应室的轴线，导向轮相交于反应室的内壁之上。