发明名称 缓冲电路、具有该电路的半导体设备及其方法
摘要 本发明涉及缓冲电路、具有该电路的半导体设备以及方法。半导体设备的多点低压差分信号mLVDS接收器和半导体设备的缓冲电路包括:偶数数据缓冲单元,配置为从输入数据取样偶数数据,在激活正时钟的段中放大并输出偶数数据,并在不激活正时钟的段中锁存偶数数据;和奇数数据缓冲单元,配置为从输入数据取样奇数数据,在激活负时钟的段中放大并输出奇数数据,并在不激活负时钟的段中锁存奇数数据。
申请公布号 CN102386909B 申请公布日期 2015.12.02
申请号 CN201110216980.5 申请日期 2011.07.29
申请人 美格纳半导体有限公司 发明人 金锭炫
分类号 H03K19/0185(2006.01)I 主分类号 H03K19/0185(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 陈炜
主权项 一种半导体设备的缓冲电路,所述缓冲电路包括:偶数数据缓冲单元,所述偶数数据缓冲单元被配置为:从输入数据中取样偶数数据;在激活正时钟的段中放大并输出所述偶数数据;并在不激活所述正时钟的段中锁存所述偶数数据;和奇数数据缓冲单元,所述奇数数据缓冲单元被配置为:从输入数据中取样奇数数据;在激活负时钟的段中放大并输出所述奇数数据;并在不激活所述负时钟的段中锁存所述奇数数据。
地址 韩国忠清北道