发明名称 | 缓冲电路、具有该电路的半导体设备及其方法 | ||
摘要 | 本发明涉及缓冲电路、具有该电路的半导体设备以及方法。半导体设备的多点低压差分信号mLVDS接收器和半导体设备的缓冲电路包括:偶数数据缓冲单元,配置为从输入数据取样偶数数据,在激活正时钟的段中放大并输出偶数数据,并在不激活正时钟的段中锁存偶数数据;和奇数数据缓冲单元,配置为从输入数据取样奇数数据,在激活负时钟的段中放大并输出奇数数据,并在不激活负时钟的段中锁存奇数数据。 | ||
申请公布号 | CN102386909B | 申请公布日期 | 2015.12.02 |
申请号 | CN201110216980.5 | 申请日期 | 2011.07.29 |
申请人 | 美格纳半导体有限公司 | 发明人 | 金锭炫 |
分类号 | H03K19/0185(2006.01)I | 主分类号 | H03K19/0185(2006.01)I |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 陈炜 |
主权项 | 一种半导体设备的缓冲电路,所述缓冲电路包括:偶数数据缓冲单元,所述偶数数据缓冲单元被配置为:从输入数据中取样偶数数据;在激活正时钟的段中放大并输出所述偶数数据;并在不激活所述正时钟的段中锁存所述偶数数据;和奇数数据缓冲单元,所述奇数数据缓冲单元被配置为:从输入数据中取样奇数数据;在激活负时钟的段中放大并输出所述奇数数据;并在不激活所述负时钟的段中锁存所述奇数数据。 | ||
地址 | 韩国忠清北道 |