发明名称 一种晶体硅太阳能电池及其制作方法
摘要 本发明涉及一种晶体硅太阳能电池及其制作方法,它包括N型硅片衬底、形成于所述N型硅片衬底任一表面上的减反射膜、一端嵌设于所述N型硅片衬底内另一端延伸至超出所述减反射膜的多根第一栅线、对应形成于所述第一栅线底部且与所述N型硅片衬底一体的掺杂层以及覆盖于所述第一栅线上用于连接相邻所述第一栅线并汇集电流的第二栅线。通过N型硅片衬底上嵌入第一栅线,将掺杂层设置在第一栅线底部且与N型硅片衬底一体并且在第一栅线上覆盖第二栅线,这样可以减少栅线-硅接触面积,减少由接触带来的缺陷复合,结合了硅材料局域掺杂,进一步减少重掺杂的复合损失,提升太阳电池的性能。
申请公布号 CN105118874A 申请公布日期 2015.12.02
申请号 CN201510611627.5 申请日期 2015.09.23
申请人 中利腾晖光伏科技有限公司 发明人 倪志春;魏青竹;吴晨阳;陆俊宇;连维飞
分类号 H01L31/0224(2006.01)I 主分类号 H01L31/0224(2006.01)I
代理机构 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人 仇波
主权项 一种晶体硅太阳能电池,其特征在于:它包括N型硅片衬底(1)、形成于所述N型硅片衬底(1)任一表面上的减反射膜(2)、一端嵌设于所述N型硅片衬底(1)内另一端延伸至超出所述减反射膜(2)的多根第一栅线(3)、对应形成于所述第一栅线(3)底部且与所述N型硅片衬底(1)一体的掺杂层(4)以及覆盖于所述第一栅线(3)上用于连接相邻所述第一栅线(3)并汇集电流的第二栅线(5)。
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