发明名称 |
掺锗硅衬底、其制备方法及包括其的太阳能电池 |
摘要 |
本发明公开了一种掺锗硅衬底、其制备方法及包括其的太阳能电池。该掺锗硅衬底包括P型晶体硅主体,P型晶体硅主体的上表面上具有经锗掺杂形成的第一掺锗区。该掺锗硅衬底在硅衬底的至少上表面上形成掺锗区,在该掺锗区中锗原子的存在,增大了P型晶体硅主体中硼与氧或杂质铁生成B-O复合体和B-Fe复合体的反应能垒。在光照的条件下,硼与氧或杂质铁的复合反应更难进行。这样便能够有效改善太阳能电池因硼的减少而造成的光衰减问题。 |
申请公布号 |
CN103606572B |
申请公布日期 |
2015.12.02 |
申请号 |
CN201310573984.8 |
申请日期 |
2013.11.15 |
申请人 |
英利集团有限公司 |
发明人 |
王坤 |
分类号 |
H01L31/0264(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0264(2006.01)I |
代理机构 |
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 |
代理人 |
吴贵明;张永明 |
主权项 |
一种太阳能电池,包括硅衬底,其特征在于,所述硅衬底为掺锗硅衬底,所述掺锗硅衬底包括P型晶体硅主体(10),所述P型晶体硅主体(10)的上表面上具有经锗掺杂形成的第一掺锗区(110),所述P型晶体硅主体(10)的下表面上具有经锗掺杂形成的第二掺锗区(130)。 |
地址 |
071051 河北省保定市朝阳北大街3399号 |