| 发明名称 | 用于在集成电路区域上特别在晶体管的电极上制造接触垫的工艺 | ||
| 摘要 | 所述区域(51)被局部修改以形成延伸直到所述区域表面的至少一部分的区段(510)，它由相对于所述区域的材料的可选择性去除的材料构成，所述区域由绝缘材料(7)覆盖，所述区段的表面处形成的孔口(90)形成于绝缘材料中，通过所述孔口将可选择性去除的材料从所述区段中去除以形成腔(520)代替所述区段，且所述腔和所述孔口用至少一种导电材料(91)填充。 | ||
| 申请公布号 | CN1783456A | 申请公布日期 | 2006.06.07 |
| 申请号 | CN200510116105.4 | 申请日期 | 2005.10.18 |
| 申请人 | 圣微电子（克若乐斯2）联合股份公司;圣微电子股份有限公司 | 发明人 | D·莱诺伯尔;P·克洛奈尔;R·塞鲁荻 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L21/335(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 李玲 |
| 主权项 | 1.一种用于在集成电路的至少一个区域上制造至少一个接触垫的工艺，其特征在于，所述区域(51)被局部修改以形成延伸到所述区域表面的至少一部分的区段(510)，它由相对于所述区域的材料为可选择性去除的材料构成，所述区域由绝缘材料(7)覆盖，所述区段的表面处形成的孔口(90)形成于绝缘材料中，通过所述孔口将可选择性去除的材料从所述区段中去除以形成腔(520)代替所述区段，且所述腔和所述孔口用至少一种导电材料(91)填充。 | ||
| 地址 | 法国克若乐斯 | ||