| 发明名称 | 一种新型氧化物保护的银纳米线透明导电薄膜 | ||
| 摘要 | 本发明公布了一种新型氧化物保护的银纳米线透明导电薄膜及其制备方法，其制备步骤为：将衬底清洗并进行等离子处理；在衬底上涂覆一层粘结剂，红外灯烘干；将银纳米线导电墨水涂覆在衬底上，干燥后得到银导电网络；将导电氧化物溶液涂覆在银导电网络上，干燥后得到银纳米线导电薄膜。该方法制备的银透明导电薄膜和衬底的粘结性好，导电性高、透光率高，可以用于电子信息产业的很多方面。 | ||
| 申请公布号 | CN105118546A | 申请公布日期 | 2015.12.02 |
| 申请号 | CN201510648860.0 | 申请日期 | 2015.10.09 |
| 申请人 | 重庆文理学院 | 发明人 | 李璐;陈善勇;刘碧桃;金容;熊婷 |
| 分类号 | H01B5/14(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I | 主分类号 | H01B5/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 重庆弘旭专利代理有限责任公司 50209 | 代理人 | 李靖 |
| 主权项 | 一种新型氧化物保护的银纳米线透明导电薄膜，其特征在于，具体制备步骤为：（1）将衬底清洗并进行等离子处理；（2）在衬底上涂覆一层粘结剂，红外灯烘干；（3）将银纳米线导电墨水涂覆在衬底上，干燥后得到银导电网络；（4）将导电氧化物溶液涂覆在银导电网络上，干燥后得到银纳米线导电薄膜。 | ||
| 地址 | 402168 重庆市永川区双竹镇 | ||