发明名称 一种光学邻近效应修正离焦模型的校准方法
摘要 本发明公开了一种光学邻近效应修正离焦模型的校准方法,使用初始OPC离焦模型模拟所有数据点在各个离焦条件下的线宽,得出每个数据点在不同离焦条件下线宽的变化范围,再选择线宽变化范围比较大的数据点作为建立离焦模型的数据点,同时加入若干个经过OPC修正的二维测试图形,以保证模型对二维图形预测的准确度。本发明提供的光学邻近效应修正离焦模型的校准方法,通过选择对焦距变化较为敏感的数据点来收集晶圆数据,大大减少了数据点的数量,缩短了OPC离焦模型校准的耗时,同时,在OPC离焦模型数据收集中加入二维测试图形,可以保证离焦模型对二维图形的预测的准确性。
申请公布号 CN105116683A 申请公布日期 2015.12.02
申请号 CN201510591365.0 申请日期 2015.09.17
申请人 上海华力微电子有限公司 发明人 陈权;毛智彪
分类号 G03F1/36(2012.01)I 主分类号 G03F1/36(2012.01)I
代理机构 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 代理人 吴世华;陈慧弘
主权项 一种光学邻近效应修正离焦模型的校准方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S01、建立初始PWOPC离焦模型;步骤S02、使用各离焦条件的PWOPC模型,模拟所有数据点在不同离焦条件下的线宽值;步骤S03、计算每个数据点在各离焦条件下的线宽值的变化范围;步骤S04、按照线宽值的变化范围对所有数据点进行从大到小的排序;步骤S05、选取线宽值的变化范围大的数据点作为建立离焦模型的数据点;步骤S06、加入若干经过OPC修正的二维测试图形作为建立离焦模型的数据点;步骤S07、采用上述测试图形收集晶圆数据,校准PWOPC模型。
地址 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号