| 发明名称 | 一种负载到基材上的去合金法获得纳米多孔银的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种负载到基材上的去合金法获得纳米多孔银的方法，包括以下步骤：1）在导电基材表面电镀一层银锡合金；2）去除银锡合金中的锡，得到纳米多孔银。或者，包括步骤：1）将绝缘基材表面进行表面导电化处理；2）在经过导电化处理的表面电镀一层银锡合金；3）去除银锡合金中的锡，得到纳米多孔银。本发明可以在导电基材与绝缘体基材上制备纳米多孔银，该纳米多孔银具备分布均匀的孔洞结构，在电化学传感器和生物活性传感器上有潜在的应用前景。 | ||
| 申请公布号 | CN105112958A | 申请公布日期 | 2015.12.02 |
| 申请号 | CN201510531888.6 | 申请日期 | 2015.08.25 |
| 申请人 | 中山大学;广州丰江微电子有限公司 | 发明人 | 崔国峰;林图强 |
| 分类号 | C25D3/56(2006.01)I;C25D3/60(2006.01)I;C25D5/48(2006.01)I | 主分类号 | C25D3/56(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人 | 胡辉 |
| 主权项 | 一种负载到基材上的去合金法获得纳米多孔银的方法，其特征在于：包括以下步骤：1）在导电基材表面电镀一层银锡合金；2）去除银锡合金中的锡，得到纳米多孔银。 | ||
| 地址 | 510275 广东省广州市海珠区新港西路135号 | ||