一种制备高效铸锭多晶硅的方法及专用单晶硅片

摘要

本发明涉及一种制备高效铸锭多晶硅锭的方法，在常规铸锭工艺的开始之前，将处理过的单晶硅片放入多晶铸锭炉底部，之后普通工艺铸锭，可得到小晶粒铸锭多晶硅锭。同时，本发明还涉及一种专用于制备高效铸锭多晶硅的单晶硅片，包括硅片本体，其特征在于：在所述硅片本体的两侧分别依次设置有硅氧层和硅氮层，所述硅片本体厚度为0.18mm，硅氧层厚度为0.1-0.2mm，硅氮层的厚度为0.2-0.3mm。本发明通过在多晶铸锭炉底部铺放经处理过的单晶硅片，该些单晶硅片的两面均涂有硅氧层-硅氮层的单晶硅片，单晶硅片起到诱导效果形成小颗粒晶粒来抑制位错，从而降低多晶硅材料体内缺陷，最终提升了电池效率。

主权项

一种制备高效铸锭多晶硅锭的方法，其特征在于包括如下步骤：S1：对单晶硅片进行去清洁处理，去除单晶硅片表面的杂质；S2：在单晶硅片的上、下表面分别涂刷一层硅氧层，厚度0.1‑0.2mm；S3：在硅氧层的表面分别涂刷硅氮层，每层厚度为0.2‑0.3mm；S4：放置在加热台上干燥，温度控制在80‑100ºC，时间控制在5‑10min；S5：将经步骤S4处理后的单晶硅片放入多晶铸锭炉底部，普通工艺铸锭，得到小晶粒铸锭多晶硅锭。