分立栅快闪存储器及其制造方法

摘要

一种分立栅快闪存储器制造方法，包括：提供衬底，所述衬底包括至少两个第一区域以及位于第一区域之间的第二区域，所述衬底表面形成含有开口的刻蚀阻挡层，所述开口暴露衬底；以所述刻蚀阻挡层为掩膜沿所述开口刻蚀所述衬底，在第一区域衬底内形成凹槽；在所述凹槽表面形成隧穿层，形成填满所述凹槽且厚度大于所述凹槽深度的浮栅；形成覆盖所述浮栅和衬底的阻挡层；形成覆盖阻挡层的字线。相应地，本发明还提供根据上述方法得到的分立栅快闪存储器。利用本发明提供的分立栅快闪存储器及其制造方法可以克服短沟道效应，并且有利于实现器件的小型化。

主权项

一种分立栅快闪存储器制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括至少两个第一区域以及位于第一区域之间的第二区域，所述衬底表面形成含有开口的刻蚀阻挡层，所述开口暴露衬底，所述第一区域的宽度大于或等于后续形成的浮栅的厚度，所述第二区域的宽度不超过0.18微米；以所述刻蚀阻挡层为掩膜沿所述开口刻蚀所述衬底，在第一区域衬底内形成凹槽，所述凹槽的深度小于或者等于存储晶体管能够避免短沟道效应的最佳沟道长度与现有光刻工艺最小尺寸之差的二分之一；在所述凹槽表面形成隧穿层，形成填满所述凹槽且厚度大于所述凹槽深度的浮栅；形成覆盖所述浮栅和衬底的阻挡层；形成覆盖所述阻挡层的字线，两个存储晶体管共用一个所述字线；在所述字线两侧的所述衬底中形成源/漏区。