一种八层堆叠式芯片封装结构及其制造工艺

摘要

本发明公开了一种八层堆叠式芯片封装结构及其制造工艺，其特征在于，包括：一基板，具有相对的一顶面和一底面；八个芯片，堆叠配置于所述基板的顶面上，其中二个芯片为一组，四组芯片呈交叉梯子形堆叠；多根导线，电性连接于芯片和芯片之间和芯片和基板之间；封装结构的封装空间内填充的绝缘树脂。本发明所述制造工艺采用超精细研磨技术，金线键合分段式技术，以及封装合模技术攻克了多层封装机构制造的难题，通过本发明所述制造工艺制造的封装结构性能稳定，良品率高、层数较高、芯片容量大。

主权项

一种八层堆叠式芯片封装结构的制造工艺，其特征在于，包括如下步骤：步骤1芯片研磨与切割：使用细金刚石颗粒的研磨轮，并配合研磨轮在主轴转数为1400RPM和芯片进给速度为0.2mm/s的情况下，调低传送设备各部件的真空和吹气压力，研磨第二芯片、第三芯片、第四芯片、第六芯片、第七芯片和第八芯片的厚度为55μm；研磨第一芯片和第五芯片的厚度为75μm；并将整个晶圆切割成单个的独立的小芯片；步骤2贴片：使用10μm厚的胶带把芯片与芯片、芯片和基板粘贴在一起，工艺参数为吸着力道大于70Kpa，焊接力为10N，每两层芯片进行一次温度为145～155℃、时间为30～60分钟的烘烤，以保证芯片与胶带之间的粘合力；步骤3金线键合：通过金线键合的方式来连接芯片与芯片，芯片与基板的之间电路；工艺参数为采用两段的焊线压力输出：较小的初始压力为10‑15g，以防止焊针接触芯片表面时晃动而破坏芯片，待芯片晃动趋于稳定后，再施加稍大的压力为20～30g，以帮助焊接金线的结合性；步骤4塑封：将芯片，金线，胶带，基板的上面用树脂包封在塑封体内，在塑封合膜时，需要抽真空，合膜压力为35～50t；合膜后，进行160～180℃、5小时的高温烘烤，可以强化树脂的结合引导气体顺利排出整个腔体；步骤5植球：植入锡球在基板的底部，以便元件可以顺利的焊接到PCB线路板上；步骤6切割：每一条基板根据不同产品的尺寸，包含了几十粒大到几百粒个芯片，通过切割工序，形成若干个独立元器件，以便客户端使用。