发明名称 |
荷电镶嵌膜 |
摘要 |
本发明涉及荷电镶嵌膜,其特征在于,含有以乙烯醇系聚合物嵌段(A)和具有阳离子性基团的聚合物嵌段(B)作为构成成分的阳离子性嵌段共聚物(P)、和以乙烯醇系聚合物嵌段(C)和具有阴离子性基团的聚合物嵌段(D)作为构成成分的阴离子性嵌段共聚物(Q)。这样的荷电镶嵌膜的膜强度高、选择渗透性和荷电密度高、盐的渗透通量大,因此作为压力透析用的荷电镶嵌膜是有用的。 |
申请公布号 |
CN102548646B |
申请公布日期 |
2015.12.02 |
申请号 |
CN201080025729.4 |
申请日期 |
2010.04.08 |
申请人 |
国立大学法人山口大学;可乐丽股份有限公司 |
发明人 |
比嘉充;直原敦;小林谦一;藤原直树 |
分类号 |
B01D69/02(2006.01)I;B01D71/38(2006.01)I;B01D71/80(2006.01)I;C08J5/22(2006.01)I |
主分类号 |
B01D69/02(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
庞立志;高旭轶 |
主权项 |
荷电镶嵌膜,其是输送阴离子的带正电区域和输送阳离子的带负电区域呈镶嵌状排列,各区域贯通至膜的两面的荷电镶嵌膜,其特征在于,含有带正电区域和带负电区域,所述带正电区域包含以乙烯醇系聚合物嵌段(A)和具有阳离子性基团的聚合物嵌段(B)作为构成成分的阳离子性嵌段共聚物(P),所述带负电区域包含以乙烯醇系聚合物嵌段(C)和具有阴离子性基团的聚合物嵌段(D)作为构成成分的阴离子性嵌段共聚物(Q),上述阳离子性嵌段共聚物(P)中的具有阳离子性基团的单体的含量为0.1摩尔%以上,上述阴离子性嵌段共聚物(Q)中的具有阴离子性基团的单体的含量为0.1摩尔%以上。 |
地址 |
日本国山口县山口市 |