| 发明名称 | 只读存储器及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种只读存储器，包含若干个阵列排布的存储单元。只读存储器包含两种不同结构的存储单元。两种存储单元分别为第一MOS管和第二MOS管。第一MOS管的源极和漏极同型，第二MOS管的源极和漏极反型。因此，这两种不同结构的MOS管可分别用于存储二进制里“0”和“1”信息。在其制作方法中，同一类型的漏极、源极可以同步做，无需额外的掩模板，可以省去传统掩模只读存储器额外的掩模板。 | ||
| 申请公布号 | CN103022040B | 申请公布日期 | 2015.12.02 |
| 申请号 | CN201110301094.2 | 申请日期 | 2011.09.28 |
| 申请人 | 无锡华润上华科技有限公司 | 发明人 | 王锴;杜鹏;蔡建祥;许宗能 |
| 分类号 | H01L27/112(2006.01)I;H01L21/8246(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/112(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人 | 何平 |
| 主权项 | 一种只读存储器，包含若干个阵列排布的存储单元，其特征在于，所述只读存储器包含两种不同结构的存储单元；所述两种不同结构的存储单元分别为第一MOS管和第二MOS管；所述第一MOS管的源极和漏极同型，所述第二MOS管的源极和漏极反型；所述第二MOS管的漏极与所述第一MOS管的源极和漏极同型。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 | ||