非挥发性记忆体及其制作方法

摘要

本发明是有关于一种非挥发性记忆体及其制造方法。此非挥发性记忆体包括栅介电层、浮置栅极、控制栅极、栅间介电结构以及二个掺杂区。栅介电层配置于基底上。浮置栅极配置于栅介电层上。控制栅极配置于浮置栅极上。栅间介电结构配置于控制栅极与浮置栅极之间。栅间介电结构包括第一氧化物层、第二氧化物层以及带电荷氮化物层。第一氧化物层配置于浮置栅极上。第二氧化物层配置于第一氧化物层上。带电荷氮化物层配置于第一氧化物层与第二氧化物层之间。二个掺杂区分别配置于浮置栅极二侧的基底中。本发明还提供了一种此非挥发性记忆体制作方法。本发明通过形成带电荷氮化物层，增加了氮化物层的导电率，提高了非挥发性记忆体的栅极耦合比与转导值。

主权项

一种非挥发性记忆体，其特征在于其包括：一栅介电层，配置于一基底上；一浮置栅极，配置于该栅介电层上；一控制栅极，配置于该浮置栅极上；一栅间介电结构，配置于该控制栅极与该浮置栅极之间，其中该栅间介电结构包括：一第一氧化物层，配置于该浮置栅极上；一第二氧化物层，配置于该第一氧化物层上；及一带电荷氮化物层，配置于该第一氧化物层与该第二氧化物层之间；以及二掺杂区，分别配置于该浮置栅极二侧的该基底中；其中，所述带电荷氮化物层是通过对栅间介电结构中的氮化物层进行N型掺质植入而形成的，该N型掺质是磷或硼；或者所述带电荷氮化物层是通过对控制栅极施加电压，利用FN穿隧的方式将电子注入氮化物层中而形成的。