一种晶闸管芯片的低温结合方法

摘要

本发明公开了一种晶闸管芯片的低温结合方法，其先取单晶硅片、铝硅合金片、钼片；然后使钼片的中心处产生预设形变量的形变；接着将单晶硅片、铝硅合金片和形变的钼片依次放入石墨模具中，放入时要求形变的钼片的凹面正对铝硅合金片；再将石墨模具放入真空高温炉中，使铝硅合金片熔化，单晶硅片结合到钼片上形成近乎平面的晶闸管芯片；优点是将铝片改为铝硅合金片，而铝硅合金片的熔点更低，因此能够将结合温度降低至580～600℃，从而能够减少得到的晶闸管芯片的形变；预先使钼片中心产生预设形变量的形变，这样结合后钼片产生的热膨胀变形与预先压制的变形互相抵消，从而使得最终得到的晶闸管芯片近乎平面，能极大地减少安装时硅片被压断裂的可能。

主权项

一种晶闸管芯片的低温结合方法，其特征在于包括如下步骤：①选取单晶硅片、含硅量为9.7%～13.7%的铝硅合金片、钼片，其中，铝硅合金片用作金属粘接剂；②对钼片进行预处理，使其中心处产生预设形变量的形变；③将单晶硅片、铝硅合金片和形变的钼片依次放入石墨模具中，放入时要求形变的钼片的凹面正对铝硅合金片；④将装有单晶硅片、铝硅合金片和形变的钼片的石墨模具放入真空高温炉中，在真空度高于3×10^‑3pa，且温度在580～600℃的条件下，使铝硅合金片熔化，单晶硅片结合到钼片上形成近乎平面的晶闸管芯片。