| 发明名称 |
具有优良阶梯覆盖性之钌化合物以及藉由沈积该具有优良阶梯覆盖性之钌化合物所形成之薄膜 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI510495 |
申请公布日期 |
2015.12.01 |
| 申请号 |
TW101113588 |
申请日期 |
2012.04.17 |
| 申请人 |
韩松化学股份有限公司 |
发明人 |
朴正佑;金埈永;李光德;陈晖远 |
| 分类号 |
C07F15/00;C23C16/18;C23C16/40;H01L21/285 |
主分类号 |
C07F15/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼 |
| 主权项 |
一种沈积一钌金属薄膜或钌氧化物薄膜的方法，包含：经由原子层沈积，使用一钌化合物沈积金属Ru或RuO2薄膜于一基板上，其中该钌化合物由式1所代表：其中L为一选自由1-乙基-1,4-环己二烯、1,3-丁二烯，及异戊二烯所组成之群组的配位基。 |
| 地址 |
南韩 |
