半导体装置及其制作方法

主权项

一种半导体装置，包括：一鳍结构，包括：一下部分，凸出于一基底之一主表面，其中该下部分包括一具有第一晶格常数之第一半导体材料；一上部分，与该下部分具有一界面，其中该上部分包括一具有第二晶格常数之第二半导体材料，且第二晶格常数与该第一晶格常数不同；一第一对凹痕，低于该界面且延伸至该下部分之相对侧，其中各第一凹痕具有一第一宽度；以及一第二对凹痕，延伸至该界面之相对侧，其中各第二凹痕具有一第二宽度，且该第二宽度大于该第一宽度。