使用通道区域下之共植入改善鳍式场效电晶体半导体元件性能之方法;METHODS TO IMPROVE FINFET SEMICONDUCTOR DEVICE BEHAVIOR USING CO-IMPLANTION UNDER THE CHANNEL REGION

摘要

本文涉及在通道区下方利用共植入改善FINFET半导体元件的方法，公开的示例性方法包括但不受限于，形成基板内的鳍片，在至少所述基板中形成井植入区，在所述鳍片中形成冲停植入区，进行利用至少一中性植入材料的至少一中性植入制程以形成在所述鳍片中的中性硼扩散阻挡植入区，其中所述中性硼扩散阻挡植入区的上表面位于相较于所述冲停植入区或所述井植入区的任一个，而更靠近所述鳍片的上表面；且形成所述井植入区、所述冲停植入区和所述中性硼扩散阻挡植入区后，在所述鳍片上方形成闸极结构。