| 主权项 |
一种以烷基化剂选择性烷基化苯以形成单烷基化苯之方法，其包括：(i)藉由包括下列步骤之方法来制造合成多孔结晶MCM-56材料：a)制备含有硷金属或硷土金属(M)阳离子之来源、三价元素X之氧化物、四价元素Y之氧化物、沸石晶种及水的第一反应混合物，该第一反应混合物具有依据氧化物莫耳比之在下示范围内的组成：YO2/X2O3=5至35；H2O/YO2=10至70；OH-/YO2=0.05至0.20；M/YO2=0.05至3.0；该第一反应混合物另外包含数量以该第一反应混合物之重量计为多于或等于0.05重量%至少于或等于5重量%之沸石晶种；b)添加导向剂R至步骤a)之反应混合物中以形成第二反应混合物，其具有依据莫耳比在下示范围内之导向剂R：R/YO2=0.08至0.3；c)在温度为约90℃至约175℃且时间为少于90小时的条件下令步骤b)之该第二反应混合物结晶，以形成产物混合物，该产物混合物包含经种晶之MCM-56材料的晶体及以该产物混合物中之该等MCM-56晶体总重计为少于10重量%之非MCM-56杂质晶体，此系以X射线绕
射监定；及d)从步骤c)之该产物混合物分离及回收至少一部分该经种晶之MCM-56材料的该等晶体，其中该经种晶之MCM-56材料之该等晶体具有如下表1所示的X射线绕射图案：(ii)将该等经种晶之MCM-56晶体与黏合剂以高于20/80至约80/20之晶体/黏合剂重量比混合，以形成触媒组成物；及(iii)在有效烷基化条件下令含有该苯及该烷基化剂之进料与该触媒组成物接触，以形成包含该单烷基化苯之产物，该等烷基化条件包括约0℃至约500℃之温度，约0.2至约25000kPa-a之压力，该苯对该烷基化剂之莫耳比为约0.1：1至约50：1，及以该烷基化剂计之进料每小时重量空间速度(WHSV)为约0.1至约500hr-1。 |
