发明名称 电晶体
摘要
申请公布号 TWI511290 申请公布日期 2015.12.01
申请号 TW099139772 申请日期 2010.11.18
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 发明人 山崎舜平;河江大辅
分类号 H01L29/78;H01L29/40 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种电晶体,包含:第一电极;氧化物半导体,其系形成与该第一电极接触,且其具有降低的氢浓度和大于3微米的厚度;第二电极,与该氧化物半导体接触;闸极绝缘膜,覆盖该第一电极、该氧化物半导体、及该第二电极;以及第三电极,面向至少该氧化物半导体的侧表面,而该闸极绝缘膜系设置于其间。
地址 日本