发明名称 | 三维半导体结构及其制造方法 | ||
摘要 | |||
申请公布号 | TWI511265 | 申请公布日期 | 2015.12.01 |
申请号 | TW102114645 | 申请日期 | 2013.04.24 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 赖二琨 |
分类号 | H01L25/04;H01L23/52 | 主分类号 | H01L25/04 |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 | |
主权项 | 一种半导体结构,其包含:一基板;该基板上之复数个堆叠带,其彼此平行地配置;该堆叠带上之复数个导电线,其彼此平行地配置,且该导电线之配置方向相对于该下方堆叠带之配置方向具有一夹角;及与该堆叠带保形的一导电衬垫,其中该导电衬垫与该导电线由不同材料组成;其中一第一空隙位于两个邻近堆叠带之间以及该至少一导电线之下,该至少一导电线定位于该两个邻近堆叠带上,且该两个邻近堆叠带之间的距离在200nm以下,且该堆叠带之高宽比至少为1。 | ||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |