| 发明名称 | 半导体芯片的制造方法以及半导体芯片 | ||
| 摘要 | 一种从晶片制造氮化镓化合物半导体芯片的方法，所述晶片具有在衬底(1)的主表面上层叠的氮化镓化合物半导体层(2，3)，包括以下步骤：通过在所述晶片的所述氮化镓化合物半导体层(2，3)侧上蚀刻，以希望的芯片形状线性地形成第一沟槽(11)；在与所述第一沟槽的中心线不一致的位置在所述晶片的所述衬底(1)侧上形成第二沟槽(22)，所述第二沟槽的线宽度(W2)几乎等于或小于所述第一沟槽的线宽度(W1)；以及沿所述第一和第二沟槽分割所述晶片。从而允许以极高的成品率准确地切割晶片，导致从一个晶片制造的芯片数量增加，从而生产率提高。 | ||
| 申请公布号 | CN1890782A | 申请公布日期 | 2007.01.03 |
| 申请号 | CN200480036072.6 | 申请日期 | 2004.12.02 |
| 申请人 | 昭和电工株式会社 | 发明人 | 楠木克辉 |
| 分类号 | H01L21/301(2006.01);H01L21/86(2006.01);H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/301(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 杨晓光;李峥 |
| 主权项 | 1.一种从晶片制造氮化镓化合物半导体芯片的方法，所述晶片具有在衬底的主表面上层叠的氮化镓化合物半导体层，包括以下步骤：通过在所述晶片的所述氮化镓化合物半导体层(2，3)侧上蚀刻，以希望的芯片形状线性地形成第一沟槽(11)；在与所述第一沟槽的中心线不一致的位置在所述晶片的所述衬底(1)侧上形成第二沟槽(22)，所述第二沟槽的线宽度W2几乎等于或小于所述第一沟槽的线宽度W1；以及沿所述第一和第二沟槽将所述晶片分割成各芯片形状的多片。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||