使用气体分配板热之温度跃升;TEMPERATURE RAMPING USING GAS DISTRIBUTION PLATE HEAT

摘要

兹提供蚀刻置于基板上的介电层的方法。方法包括在蚀刻处理腔室中，自静电夹头松开基板，及边循环蚀刻介电层，边自静电夹头松开基板。循环蚀刻包括由供应到蚀刻处理腔室的蚀刻气体混合物远端产生电浆，以在第一温度下蚀刻置于基板上的介电层。蚀刻介电层将产生蚀刻副产物。循环蚀刻亦包括在蚀刻处理腔室中，往气体分配板垂直移动基板，及使昇华气体从气体分配板流向基板而使蚀刻副产物昇华。昇华系在第二温度下进行，其中第二温度高于第一温度。